項目概況：
隨著第三代半導體材料氮化鎵的突破和超高亮度藍、綠、紅、白光二極管的問世，半導體采用LED作為新光源，同樣亮度下，耗電僅為普通白熾燈的1/10，使用壽命10萬小時，是白熾燈的30倍。半導體燈替代傳統的白熾燈和熒光燈，也是大勢所趨。
本項目主要解決新型超高亮度AlGaInP四元系外延片產業化中的多量子阱穩定生長及進一步提高發光效率等多項關鍵技術問題，形成成本控制、成品率控制、技術管理規范、設備維護等規范。著重解決發光二極管產業化的穩定性，重復性以及均勻性等關鍵問題。
目前國內高性能發光二極管外延片的生產量較少，不能滿足芯片生產公司的市場需求，這主要是由于外延片生產技術門檻較高的原因。國內也有幾家公司在進行發光二極管外延片的生產，但從總體上看高檔高亮度發光二極管外延片與芯片的生產基本上為國外廠商所壟斷。
市場化前景：
半導體燈采用發光二極管作為新光源，同樣亮度下，耗電僅為普通白熾燈的1/10，使用壽命10萬小時，是白熾燈的30倍，由于半導體照明具有光電轉換效率高、節能、環保、長壽命、免維護、影響速度快等優點，可廣泛應用于白光通用照明、裝飾照明、汽車等各類運輸工具照明、交通信號顯示、背景顯示、大屏幕、特種工作照明、軍用照明及旅游、輕工產品等各個領域。
預期效果：
本項目完成后，紅光LED外延品制備的芯片，在20毫安工作電流下，發光波長在625納米左右，發光強度大于120mcd，正向電壓小于2.2伏；黃綠光LED外延品制備的芯片，發光波長為569納米左右，發光強度大于5mcd。預計，項目完成后，可實現年產值7000萬元，實現利稅500萬元以上。
